Золотой Шар

Компанией Infineon Technologies разработано семейство 700-В МОП-транзисторов CoolMOS P7, предназначенных для квазирезонансных обратноходовых схем. Новые компоненты должны обеспечить улучшением технических характеристик в сравнении с существующими транзисторами на основе технологий суперперехода.

Новые транзисторы могут быть актуальными для схем с мягким переключением, используемым в зарядных устройствах смартфонов и планшетов. Семейство CoolMOS найдёт применение в быстро переключающихся и мощных высокоплотных схемах. Компоненты способствуют разработке более компактных и плоских устройств.

Новая технология привела к снижению потерь переключения в диапазоне 27..50 %. С схемах зарядных устройств с обратноходовой топологией технология способствует повышению КПД в пределах 3,9 %. В сравнении с предыдущей технологией С6 рост КПД достиг 2,4 %, снижение температуры – на 12 К.

Встроенный диод Зенера гарантирует повышенную устойчивость к электростатическим разрядам (до 2-го класса HBM). Низкие потери в новых транзисторах обусловлены невысокими значениями RDS(on)*Qg и RDS(on)*EOSS. В сравнении с технологией С6 семейство обеспечивает дополнительными 50 В по блокирующему напряжения. При напряжении VGSth = 3 В и допустимом отклонении ±0,5 В упрощается проектирование схем.

Новые транзисторы имеют сопротивление RDS(on) = 360 мОм и 1400 мОм. Компоненты выпускаются в корпусах IPAK SL, DPAK и TO-220FP.

Источник