Компания Analog Devices представляет новую серию малошумящих усилителей для широкого круга приложений, таких как системы радиоэлектронной борьбы (РЭБ), инструментальные средства и телекоммуникационные системы с несколькими рабочими полосами частот
10 января 2017
HMC8401, HMC8402 и HMC8410 — это монолитные сверхвысокочастотные интегральные схемы (ммIC) малошумящих усилителей (LNA), выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) с применением псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT). Рабочий диапазон частот устройств составляет от 0 до 28 ГГц (HMC8401), от 2 ГГц до 30 ГГц (HMC8402) и от 10 МГц до 10 ГГц (HMC8410).
HMC8401 обеспечивает коэффициент усиления 14.5 дБ при уровне собственных шумов 1.5 дБ, выходную интермодуляционную точку пересечения третьего порядка (OIP3) 26 дБм и выходную мощность 16.5 дБм в точке компрессии 1 дБ (P1dB) при токе потребления 60 мА от источника питания напряжением 7.5 В. HMC8402 обеспечивает коэффициент усиления 13.5 дБ при уровне собственных шумов 2.0 дБ, выходную интермодуляционную точку пересечения третьего порядка (OIP3) 26 дБм и выходную мощность 21.5 дБм в точке компрессии 1 дБ (P1dB) при токе потребления 68 мА от источника питания напряжением 7.0 В. HMC8410 обеспечивает коэффициент усиления 19.5 дБ при уровне собственных шумов 1.1 дБ, выходную интермодуляционную точку пересечения третьего порядка (OIP3) 33 дБм и выходную мощность 21.0 дБм в точке компрессии 1 дБ (P1dB) при токе потребления 65 мА от источника питания напряжением 5.0 В.
HMC8401 оснащен дополнительным выводом регулировки коэффициента усиления. В режиме насыщения мощность выходного каскада HMC8410 достигает 22.5 дБм, что позволяет использовать устройство в качестве драйвера гетеродина для большинства I/Q-модуляторов и смесителей с подавлением зеркальной составляющей, выпускаемых компанией Analog Devices.
Входы и выходы усилителей внутренне согласованы на нагрузку 50 Ом, что упрощает их интеграцию в многокристалльные модули (МКМ).
Отличительные особенности: Выходная мощность в точке компрессии 1 дБ (P1dB): -HMC8401: 16.5 дБ (тип.) -HMC8402: 21.5 дБ (тип.) -HMC8410: 21.0 дБ (тип.)
Выходная мощность в режиме насыщения (PSAT): -HMC8401: 19.0 дБм (тип.) -HMC8402: 22.0 дБм (тип.) -HMC8410: 22.5 дБм (тип.)
Размеры кристалла: -HMC8401: 2.55 мм × 1.5 мм × 0.05 мм -HMC8402: 2.7 мм × 1.35 мм × 0.05 мм -HMC8410: 0.95 мм × 0.61 × 0.102 мм
Область применения: -Контрольно-измерительная аппаратура -Радиостанции СВЧ-диапазона и малые спутниковые терминалы (VSAT) -Системы радиоэлектронной борьбы (РЭБ) -Телекоммуникационная инфраструктура -Линии волоконно-оптической связи
06 марта 2026 Радиационно‑стойкая гибридная интегральная микросхема линейного усилителя мощности Восточно‑Китайский научно‑исследовательский институт микроэлектроники, входящий в Китайскую корпорацию электронных технологий (China Electronics Technology Group — CETC), представил гибридную интегральную микросхему линейного усилителя мощности HLPA08.
09 марта 2026 Схемы сопряжения датчика акселерометра Предлагаемые устройства являются специализированными схемами сопряжения головки датчика акселерометра носителя, на котором установлен датчик ускорения.