Микросхемы памяти EERAM с неограниченным числом циклов перезаписи
01 ноября 2016
Запись данных из массива SRAM в массив EEPROM может происходить автоматически при потере питания, за счет энергии внешнего конденсатора, либо периодически по команде от микроконтроллера.
Сочетание SRAM с технологией EEPROM, позволило создать микросхемы памяти с практически безграничным числом циклов перезаписи в сочетании с безопасным сохранением информации при потере питания. Кроме того, данная технология, помимо технических преимуществ, имеет меньшую стоимость производства по сравнению с технологиями NVSRAM, FRAM или MRAM. Как следствие микросхемы памяти EERAM идеальны для применения в бюджетных устройствах.
Память серии 47L04, 47C04, 47L16 и 47C16 идеально подойдет для применений, в которых необходимо регулярно записывать, обновлять или контролировать данные, в т.ч. получаемые многократными измерениями. Например, автомобильные или промышленные датчики, бытовые и коммунальные датчики учета.
Характеристики:
Объем памяти, Кб: 4 и 16 . Корпуса: 8-pin SOIC, TSSOP и PDIP. Температурные диапазоны: -40°C to +85°C, -40°C to +125°C. Напряжение питания: 2.7 - 3.6 В / 4.5 - 5.5 В. Интерфейс I2C, 1 МГц.
16 января 2026 Линейка высокоэффективных AC/DC ИП MEAN WELL пополнилась новой серией NSP MEAN WELL представил новое поколение промышленных источников питания серии NSP-75/100/150/200/320, которое приходит на замену популярной линейке RSP, широко применяемой в автоматизации, телекоммуникационном оборудовании, системах безопасности и освещения.
Производители: