Золотой Шар

Восточно‑Китайский научно‑исследовательский институт микроэлектроники, входящий в Китайскую корпорацию электронных технологий (China Electronics Technology Group — CETC), представил гибридную интегральную микросхему линейного усилителя мощности HLPA08.

В схеме устройства используется структура мощного операционного усилителя, включающая входной, промежуточный (каскад усиления напряжения) и выходной каскады.

Входной каскад усиливает сигнал, промежуточный дополнительно его усиливает для управления последующими схемами, а выходной каскад использует мощный управляющий транзистор для выдачи большого тока в нагрузку.

Компоненты усилителя установлены на керамической подложке из оксида бериллия (BeO), обладающей очень высокой теплопроводностью порядка 250 Вт/(м · К), что позволяет эффективно отводить тепло от активных элементов. Бериллиевая керамика является оксидной, получить на её поверхности металлизированное покрытие с высокой адгезией проще, чем на поверхностях безоксидных типов керамик.

Вес микросхемы — 17 ± 3 г. Размеры корпуса — 38,5 × 25,2 × 6,20 мм, длина выводов — 6,2 мм.

Основные электрические параметры линейного усилителя мощности показаны в таблице 1. В таблице 2 представлены допустимые отклонения параметров при испытаниях на долговечность. В таблице 3 представлены методы испытаний на стойкость к ионизирующим излучениям в области дозовых и одиночных эффектов.

Максимальные номинальные значения параметров:

• Положительное напряжение источника питания (VS+): +150 В;
• Отрицательное напряжение источника питания (VS-): −50 В;
• Выходной ток (IO): 2 А;
• Диапазон температур хранения (TSTG): −65 … +150 °C;
• Максимальная мощность потребления (PD): 62,5 Вт;
• Тепловой импеданс «переход‑корпус» (ƟJC): 0,2 °C/Вт;
• Входное напряжение (VIN): ±15 В;
• Температура перехода (TJ): 150 °C.

Микросхема производится в соответствии с требованиями национальных стандартов:

• GJB 128A‑1997 «Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств»;
• GJB 360B‑2009 «Методы испытаний электронных изделий и электронных компонентов»;
• GJB 548C‑2021 «Методы и процедуры испытаний микроэлектронных устройств»;
• GJB 597B‑2012 «Общая спецификация для полупроводниковых интегральных схем»;
• GJB 2438B‑2017 «Общая спецификация для гибридных интегральных схем»;
• Q/W‑Q‑60‑11 «Реальное время хранения и требования к повторной проверке компонентов для аппаратуры космической техники»;
• QJ 10004A‑2018 «Метод испытаний на стойкость к накопленной дозе полупроводниковых устройств для аппаратуры космической техники»;
• QJ 10005A‑2018 «Руководящие указания по испытаниям на стойкость к одиночным эффектам полупроводниковых устройств для космической техники».

Источник