Золотой Шар

Компания Xi’an Microelectronics Technology Institute (XMTI, Китай) разрабатывает радиационно‑стойкие P‑ и N‑канальные MOSFET‑транзисторы, предназначенные для коммутации в бортовых энергетических системах космических аппаратов по ключевым техническим параметрам транзисторы XMTI сопоставимы с изделиями поколения R6® компании International Rectifier (HiRel).

Кроме того, они соответствуют уровню качества Space (класс JANS, Joint Army Navy Space) согласно спецификации MIL‑PRF‑19500.

Производство компонентов ведётся в соответствии с национальным стандартом GJB 33 «Основная спецификация производства полупроводниковых дискретных компонентов для применения в космической аппаратуре». По своим требованиям этот стандарт практически идентичен американскому аналогу.

Основные электрические характеристики

N‑канальные транзисторы:

• максимально допустимое напряжение сток‑исток: 20–600 В;
• максимальный ток стока: 69 А;
• минимальное сопротивление сток‑исток в открытом состоянии (RDS(ON)): 5 мОм.

P‑канальные транзисторы:

• максимально допустимое напряжение сток‑исток: 20–200 В;
• максимальный ток стока: 38 А;
• минимальное сопротивление сток‑исток в открытом состоянии (RDS(ON)): 50 мОм.

Радиационная стойкость

Транзисторы обладают следующими показателями устойчивости к радиационным воздействиям:

• стойкость к эффекту полной накопленной дозы: ≥100 крад (Si);
• стойкость к одиночным эффектам при ЛПЭ (линейные потери энергии) воздействующих ионов: ≥75 МэВ⋅см2/мг.

При указанных уровнях воздействия не наблюдаются критические для полевых транзисторов отказы — SEB (Single Event Burnout — вторичный пробой области истока) и SEGR (Single Event Gate Rupture — локальное разрушение области в подзатворном диэлектрике.)

Ключевые эксплуатационные параметры:

• быстрый процесс переключения;
• упрощённые требования к схеме управления;
• возможность несложного параллельного соединения;
• рабочий температурный диапазон: от −55 до +125 ∘C (окружающая среда);
• доступные уровни качества: YCT, YB, YC, QY.

MOSFET‑транзисторы XMTI представляют собой передовую разработку в китайской электронной промышленности, сочетая высокую радиационную стойкость, надёжность в экстремальных условиях и соответствие международным стандартам качества. Данные компоненты активно используются в ключевых национальных космических программах.

Источник