МОП-транзисторы с быстрым паразитным диодом для мягкого переключения
02 июня 2016
Созданные на основе технологии суперперехода серии Е новые транзисторы имеют в 10 раз сниженный обратный заряд восстановления (Qrr) по сравнению со стандартными МОП-транзисторами. Это позволяет компонентам серии EF блокировать пробивное напряжение более быстро для исключения повреждения от пробоя и температурного перегрева.
Также в новых транзисторах улучшено переключение при нулевом напряжении (ZVS), что способствует повышению надёжности в цепях мостов со сдвигом фазы, LLC-преобразователях и 3-уровневых инверторах. Сопротивление открытого состояния для компонентов SiHx21N65EF (21 А), SiHx28N65EF (28 А) и SiHG33N65EF (33 А): 157, 102 и 95 мОм, соответственно. Транзистор SiHx21N65EF выпускается в 5 типах корпусов, остальные – в двух типах.
Новые компоненты спроектированы для устойчивости к высокоэнергетическим импульсам в лавинном и коммутационном режимах. Сфера применения транзисторов включает схемы инверторов солнечной энергии, серверов, систем питания телекоммуникационного оборудования, компьютерных блоков питания, сварочных аппаратов, оборудования зарядки электромобилей, светодиодного освещения.
Производители: