SiC MOSFET 1200 В 150 А с минимальным сопротивлением сток-исток 10 мОм в корпусе TO-247-4 от AMG Power
10 июня 2025
AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором A4G150N1200MT4. Данный транзистор, выполненный в стандартном корпусе TO-247-4, позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надёжности устройства.
Максимальный продолжительный ток 150 А и напряжение 1200 В сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадёжных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания.
Благодаря использованию технологии SiC уменьшаются потери на переключении и проводимости тока, что позволяет отказаться от мощных охлаждающих систем и обойтись только естественным охлаждением при сохранении габаритов устройства.
A4G150N1200MT4 – 4 поколение SiC транзисторов AMG Power, которое управляется гибридно (15/18 В), как 2 и 3 поколение транзисторов и имеет минимальное на данный момент сопротивление Rds(on) – 10 мОм (при 18 VGS).
11 февраля 2026 Оптический MEMS-переключатель 1×N на 1550 нм от Fibert Fibert анонсировал доступность оптического переключателя на основе технологии MEMS (микроэлектромеханических систем), предназначенного для работы на длине волны 1550 нм.
10 февраля 2026 Новая модель 7-дюймовой панели оператора от Weintek На промышленном рынке 7‑дюймовые панели управления неизменно входят в число самых востребованных решений — их преимущества заключаются в компактности, экономичности и простоте использования.
Производители: