Золотой Шар

AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором A4G150N1200MT4. Данный транзистор, выполненный в стандартном корпусе TO-247-4, позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надёжности устройства.

Максимальный продолжительный ток 150 А и напряжение 1200 В сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадёжных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания.

Благодаря использованию технологии SiC уменьшаются потери на переключении и проводимости тока, что позволяет отказаться от мощных охлаждающих систем и обойтись только естественным охлаждением при сохранении габаритов устройства.

A4G150N1200MT4 – 4 поколение SiC транзисторов AMG Power, которое управляется гибридно (15/18 В), как 2 и 3 поколение транзисторов и имеет минимальное на данный момент сопротивление Rds(on) – 10 мОм (при 18 VGS).

Основные особенности транзисторов A4G150N1200MT4:

стандартный корпус стандарта TO-247-4

сверхнизкие потери, работа на повышенных частотах

нулевые потери на обратное восстановление диода

нулевой ток выключения MOSFET

напряжение затвора (VGS): 15 В или 18 В

низкое сопротивление Rds(on): 10 мОм (при 18 VGS)

Применение транзисторов:

высокочастотные преобразователи

преобразователи DC-DC

солнечные инверторы и ветрогенераторы

ИБП и ИИП

преобразователи для ЖД и горного оборудования

Источник