Золотой Шар

Компания SUNCOYJ (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем обратноходового быстровосстанавливающегося диода с мягким восстановлением. Отдельного внимания заслуживает способность данного полупроводникового прибора работать при очень высоких температурах. Номинальное значение тока нормируется для 100ºС, при температуре 25°С оно составляет 85 A. Максимальное значение температуры перехода может достигать 175°С. IGBT-транзистор соответствует нормам стандарта экологической безопасности RoHS.

Рис. 1. Внешний вид (а) и расположение выводов DGW50N120CTL1J (б)

Транзистор выполнен в широко распространенном корпусе TO-247, который отличается высокой рассеиваемой мощностью и простотой монтажа. В нем имеются металлическая площадка для отвода тепла на радиатор и отверстие для винтового крепления к системе теплоотвода.

Производитель рекомендует использовать DGW50N120CTL1J в инверторах, блоках питания и системах управления электродвигателями. Для последних очень важно, что пиковое кратковременное значение тока коллектора может достигать 200 A. Встроенный диод способен выдержать кратковременный ток такой силы, текущий в противоположном направлении. Динамические характеристики транзистора нормируются на частоте до 1 МГц. Входная емкость затвора составляет всего 3,12 нФ, что определяет высокое быстродействие. Перечисленные факторы позволяют использовать данный IGBT в инверторах, работающих на высоких частотах. Применение более высоких частот в инверторах позволяет уменьшить габариты и массу оборудования.

DGW50N120CTL1J представляет собой надежный компонент со сбалансированным соотношением «цена/качество». Он найдет применение в промышленном оборудовании, а также в источниках бесперебойного питания, предназначенных для центров обработки данных.

Источник