Высокоскоростная память с многоуровневой архитектурой и поддержкой стандарта HBM
16 октября 2015
В разработанных модулях задействовано ядро контроллера на базе ПЛИС и трансивер для работы с архитектурой HBM, выполненной в виде матрицы памяти Hynix. Дизайн ПЛИС-контроллера на органическом интерпозере был разработан Northwest Logic и реализован компанией eSilicon.
Первое поколение модулей стандарта HBM имеет 8 каналов с 128-битной разрядностью, обеспечивая пропускной способностью в 1 Гбит/с/вывод. Суммарная пропускная способность модуля – 128 ГБ/с. Согласно информации от разработчиков, следующее поколение устройств стандарта HBM будет иметь вдвое большую пропускную способность.
Разработчики утверждают об увеличении пропускной способности новых решений в 14 раз по сравнению с модулями DDR4 DIMM, работающими с тактовой частотой 2600 Мбит/вывод. Также чипы стандарта HBM выигрывают как по энергопотреблению, так и по стоимости. Контроллер HBM Controller Core поддерживает пропускную способность до 2 Гбит/с/вывод (2-ое поколение).
13 февраля 2025 Новая серия соединителей от Greenconn - GB04 Монолитный тройной разъем на плату и раздельные ответные части на кабель для сохранения пространства и оптимизации расходов!