Infineon представляет мощные высокочастотные транзисторы, выполненные по технологии GaN on SiC
09 октября 2015
Обладая более высокой эффективностью, улучшенной удельной мощностью и более широким частотным диапазоном (в сравнении с существующими ВЧ транзисторами), новые транзисторы оптимизируют затраты на построение инфраструктуры сотовых сетей и способствуют переходу к поколению 5G.
В новых транзисторах реализованы преимущества технологии GaN – достигнуто 10 %-ное улучшение по КПД и 5-кратный рост удельной мощности в сравнении с компонентами типа LDMOS. Это ведёт к уменьшению размеров схем усилителей мощности, применяющихся в передатчиках базовых станций с рабочим частотным диапазоном 1,8 – 2,2 ГГц либо 2,3 – 2,7 ГГц. Вскоре будут выпущены транзисторы с поддержкой технологии 5G и частот до 6 ГГц.
К дополнительным преимуществам выпущенных транзисторов относится гибкость применения. Новые компоненты имеют вдвое больший рабочий частотный диапазон в сравнении с LDMOS-транзисторами, а значит, один усилитель мощности может работать с различными частотными полосами. Мгновенная доступная полоса пропускания также увеличена, что позволяет операторам связи предложить большую пропускную способность за счёт агрегации данных, предусмотренной в спецификации сетей 4,5G.
Производители: