IM позиционирует новую память DRAM повышенной надёжности для автомобильного сектора
24 сентября 2015
В автомобильных системах, авиационной электронике, аэрокосмическом и военном оборудовании электронные компоненты часто подвергаются экстремальным перегрузкам в виде высокой температуры и излучений. Память типа DRAM хранит данные путём удерживания заряда в небольших конденсаторах (ячейках памяти). Высокая температура вызывает стремительные утечки заряда, что приводит к однобитовым ошибкам.
Кроме того, ячейки DRAM довольно быстро могут менять состояние при перегрузках, что способствует уменьшению времени сохранения данных и не даёт гарантий длительной работы без сбоев. Большинство производителей чипов DRAM автомобильного назначения удваивают и даже учетверяют частоту обновления ячеек для преодоления данных физических ограничений. Несмотря на то, что большая частота обновления способствует увеличению энергопотребления и рассеиваемой теплоты, такой метод способствует исключению риска появления однобитовых ошибок после недель и месяцев эксплуатации.
Производитель Intelligent Memory теперь предлагает чипы DRAM, основанные на собственной технологии ECC DRAM и способные работать стабильно при температуре до 125 °C без необходимости увеличения частоты обновления. Встроенный код коррекции (ECC) исключает однобитовые ошибки, вызванные любыми воздействиями: температурой, излучением и др. Помимо этого, другие типы ошибок (инвертирование разрядов, аппаратные битовые ошибки) также корректируются логикой ECC.
Новые DDR3 чипы IME1G16D3EEBG-15EX с рабочим температурным диапазоном от -40 до 125 °C доступны для заказа в виде образцов. Ёмкость составляет 1 Гбит. Вскоре планируется выпуск версий DDR2 и DDR1.