17 февраля 2017 Intersil анонсировала изолированный трансивер стандарта RS-485Изолированный трансивер дифференциальной шины стандарта RS-485 разработан фирмой Intersil. Чип обеспечит двусторонней передачей данных в сетях промышленного Интернета вещей (IIoT). Трансивер ISL32704E обладает устойчивостью к электромагнитным воздействиям и синфазным переходным явлениям. Чип выпускается в корпусе QSOP (4 х 5 мм), на 70% меньшим в сравнении с конкурирующими решениями.
17 февраля 2017 Чип смесителя каналов, усовершенствованный под работу с частотами 4G и 5GLinear Technology представила чип сдвоенного смесителя каналов со встроенными усилителями промежуточной частоты с настраиваемым переменным усилением. Компонент LTC5566 работает с частотами 300 МГц – 6 ГГц, покрывая развивающиеся диапазоны мобильной связи 3,6; 4; 4,5; и 5 ГГц.
14 февраля 2017 Терраэлектроника: Бюджетный USB-JTAG эмулятор компании Analog Device ADZS-ICE-1000ADZS-ICE-1000 - USB-JTAG эмулятор ADZS-ICE-1000 от компании Analog Device. Изделие поддерживает программирование, отладку и тестирование в приложениях на основе DSP Sharc, Blackfin и JTAG-совместимых процессоров Analog Device. В изделие была добавлена функция Serial Wire Debug (SWD). ADZS-ICE-1000 работает в связке с интегрированной средой разработки CrossCore® Embedded Studio или VisualDSP++ 5.1.1 (или выше).
14 февраля 2017 МОП-транзистор с супер-переходом 4-го поколения от VishayФирма Vishay представила первый компонент в Е-серии 600-В силовых МОП-транзиторов 4-го поколения, предназначенных для схем блоков питания телекоммуникационного и промышленного оборудования. N-канальный транзистор SiHP065N60E обладает на 30 % меньшим сопротивлением открытого состояния и на 44 % меньшим зарядом затвора в сравнении с предыдущими 600-В компонентам серии Е.
14 февраля 2017 SMD-индуктивности от Murata для схем NFCКомпания Murata представила серию SMD-индуктивностей LQM18JN для схем стандарта связи ближнего поля (NFC). В новых компонентах в сравнении с предыдущими аналогами улучшены рабочие характеристики.
14 февраля 2017 Малошумящий LDO-стабилизатор для питания точных сенсорных схемНовый стабилизатор с малым падением напряжения (LDO) от STMicroelectronics обеспечит отличным соотношением уровня помех и выходного тока, а также размеров решения. Генерируя менее 6,5 мкВ (ср.кв.) шума при полной нагрузке 250 мА, компонент LDLN025 гарантирует высокую точность и чувствительность в целевой схеме.
10 февраля 2017 Rambus поможет GlobalFoundries освоить выпуск 14-нм БИС с поддержкой памяти HBM2Официальным пресс-релизом компания Rambus сообщила о разработке блока физического уровня для доступа к памяти HBM2. Что более важно, схемотехника Rambus HBM Gen2 PHY адаптирована к производству на линиях компании GlobalFoundries в рамках второго поколения техпроцесса FX-14 (14LPP). Это 14-нм техпроцесс с поддержкой «вертикальных» FinFET-транзисторов.
10 февраля 2017 Высокомощный лазерный диод для проекторов с длиной волны 639 нм от Mitsubishi ElectricКорпорация Mitsubishi Electric объявила о выпуске нового высокомощного лазерного диода непрерывной генерации для проекторов. Модель ML562G85 обладает рекордной оптической выходной мощностью 2,1 Вт и ярким красным светом с длиной волны 639 нм.
Производители: