Золотой Шар

RUS ENG

Доп.материалы

+7 (495) 234-01-10
Факс: +7 (495) 956-33-46
Россия, Москва, Краснопролетарская, 16
Схема проезда

о компании продукция новости тех.информация

Производители:

Новости

02 марта 2026
Микроконтроллеры GigaDevice на Arm Cortex-M7 750 МГц с расширенными интерфейсами и EtherCAT

Компания GigaDevice объявила о расширении линейки высокопроизводительных микроконтроллеров, представив серии устройств на базе ядра Arm® Cortex®-M7 с тактовой частотой до 750 МГц – серии GD32H78E/77E и GD32H789/779.

27 февраля 2026
Фотодиодные усиленные приёмники PDA-серии от Thorlabs

Компания Thorlabs предлагает линейку фотодиодных усиленных приёмников PDA-серии, представляющих собой готовое решение для регистрации оптического излучения в лабораторных и R&D-приложениях.

26 февраля 2026
В Нидерландах создали «невозможный» материал — самовосстанавливающий пластик на «молекулярных магнитах»

Исследователи Вагенингенского университета (Нидерланды) под руководством профессора Яспера ван дер Гухта разработали принципиально новый тип материала — комплексимер.

25 февраля 2026
Новый метод 3D-печати искусственных мышц ускоряет создание «живых» роботов

Инженеры Гарвардского университета представили новый способ производства искусственных мышц для мягких роботов — "rotational multimaterial 3D printing".

24 февраля 2026
Учёные создали новый транзистор, способный хранить тысячи устойчивых состояний

Инженеры из Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики (Китай) разработали уникальный ферроэлектрический транзистор толщиной в несколько атомов.

23 февраля 2026
Радиационно‑стойкий гибридно‑плёночный DC/DC‑преобразователь с входным напряжением 100 В в облегчённом корпусе

Корпус модуля выполнен из алюминиево‑кремниевого сплава AlSi — наличие кремния повышает прочность и твёрдость по сравнению с чистым алюминием.

23 февраля 2026
Дорогие мужчины! С 23 февраля!

От всей души поздравляем Вас с Днём защитника Отечества!

20 февраля 2026
Разработана новая технология производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия

Исследователи из Индийского научного института (Indian Institute of Science, IISc) сделали фундаментальное открытие в области разработки силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), что позволит сделать их более безопасными и простыми в использовании в высокотехнологичной электронике.

19 февраля 2026
Китайские ученые разработали самый маленький в мире сегнетоэлектрический транзистор со сверхнизким энергопотреблением

Согласно исследованию, опубликованному недавно в журнале Science Advances, эта разработка открывает новые перспективы для развития полупроводниковой промышленности.

18 февраля 2026
Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

Высоковольтные MOSFET-транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники.

Разработка: студия Green Art