Золотой Шар

RUS ENG

Доп.материалы

+7 (495) 234-01-10
Факс: +7 (495) 956-33-46
Россия, Москва, Краснопролетарская, 16
Схема проезда

о компании продукция новости тех.информация

Производители:

Новости

05 октября 2026
Широкополосная спиральная GNSS-антенна с подавлением помех и усилением до 4 dBiC от Harxon

Компания Harxon представила компактную широкополосную GNSS-антенну JH003 с круговой поляризацией, усилением до 4 dBiC и защитой от внеполосных помех. Антенна рассчитана на высокоточное позиционирование в сложной электромагнитной обстановке.

06 октября 2026
Высоковольтный SiC MOSFET 1700 В / 100 А в изолированном корпусе от AMG Power

AMG Power анонсировала выпуск N-канального SiC MOSFET с напряжением сток-исток 1700 В и непрерывным током стока до 100 А – A2G100N1700MT4i.

02 октября 2026
Жидкостно-охлаждаемый блок питания 6600 Вт с выходами 54 и 12 В для ИИ-серверов от Compuware

Компания Compuware Technology представила резервируемый AC-DC блок питания CPR-6622-2M1 мощностью 6600 Вт с гибридным выходом 54 В + 12 В для ИИ-серверов.

01 октября 2026
Индия представила собственный чип на RISC-V: Vihaan-I уже работает и выйдет на рынок в 2027 году

Индийский стартап по разработке полупроводников Aheesa Digital Innovations представил Vihaan-I — собственную однокристальную систему (SoC) для широкополосного сетевого оборудования, которая должна заменить часть импортных чипов в маршрутизаторах и оптических терминалах.

30 сентября 2026
Antora придумала батарею без лития: электричество превращается в жар и хранится в углероде

Американские GrafTech International и Antora Energy договорились совместно развивать производство углеродных материалов для тепловых аккумуляторов.

29 сентября 2026
Разработан первый в мире полевой MOSFET с суперпереходом на основе карбида кремния

Компания Alkaid-Semi Technologies (Shanghai) Co., Ltd. официально представила первый в мире MOSFET с супередискретным переходом на основе карбида кремния (SiC), что стало важной вехой на пути выхода этой передовой технологии из лабораторных условий в промышленное производство.

28 сентября 2026
Исследователи создали полупроводник на полярном нитриде вюрцита NbAlN

Материал более чем в три раза увеличивает межфазную электронную плотность в гетероструктуре GaN, расширяя дизайн материалов, основанных на поляризации.

25 сентября 2026
Оптическое волокно G-серии для телекоммуникаций и специализированных систем от FIBERT

Fibert поставляет одномодовое оптическое волокно G-серии для производства оптических кабелей, систем передачи данных и специализированного оборудования. В линейку входят волокна G.652.D, G.657.A1, G.657.A2 и G.657.B3.

24 сентября 2026
Резервный источник питания 33 кВт, переключение ≤2 мс, автономность 90 с для ИИ-серверов от Compuware Technology

Compuware Technology представила модульный резервный источник питания BBU Shelf (Battery Backup Unit Shelf) мощностью до 33 кВт с временем переключения на резервное питание не более 2 мс – модель CBR-3332-1S1.

23 сентября 2026
Разработана «грунтовка» для транзисторов

Несколько атомов оксида алюминия могут решить ключевую проблему, сдерживающую развитие 2D-полупроводниковых технологий следующего поколения.

Разработка: студия Green Art