International Rectifier: Силовые MOSFET 40-100 В с низким сопротивлением открытого канала для применений в автомобильной промышленности
30 августа 2010
Силовые MOSFET 40-100 В с низким сопротивлением открытого канала.
В июле 2010 года компания International Rectifier, являющаяся мировым лидером в производстве систем управления питанием, объявила о расширении семейства MOSFET для приложений требующих низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)) применяемых в автомобильной промышленности.
Новые устройства квалифицированны в соответствии с AEC-Q101 стандартом, соответствует директиве RoHS.
30 января 2012 Быстровосстанавливающиеся высоковольтные диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiС). ЗАО " Группа Кремний ЭЛ", помимо высоковольтных транзисторов на основе карбида кремния, приступила к производству высоковольтных диодов и диодных сборок Шоттки, также на основе кристаллов карбида кремния (SiС). На данный момент доступно для заказа 8 групп приборов и еще четыре находятся в стадии разработки.
26 января 2012 Новые двухслойные WIMA SuperCap С 60 WIMA расширила свой ассортимент серией WIMA SuperCap С 60. Конденсаторы доступны с емкостью 1500 F, 2000 и 3000 F F при номинальном напряжении 2,7 В постоянного тока. Выпускаются в круглом металическом корпусе диаметром 60 мм. Для увеличения рабочего напряжения возможно последовательное включение конденсаторов.
11 января 2012 Высоковольтные транзисторы JFET и MOSFET на основе карбида кремния (SiС). ЗАО " Группа Кремний ЭЛ" анонсировала транзисторы, выполненные на кристаллах карбида кремния (SiС). Предлагаются два транзистора: высоковольтный JFET с управляющим p-n переходом (нормально открытый) с блокирующим диодом КП12(М)К085 и высоковольтный MOSFET n-канальный, так же со встроенным диодом, КМ12(М)К08.
+7 (495) 234-01-10
тех.информация
спецпредложение!
30 января 2012
26 января 2012
11 января 2012
Производители: