Компания ON Semiconductor представила кварцевый генератор NBXSBA030, предназначенный для применения в 2.5 В / 3.3 В LVPECL приложениях тактовой генерации. В устройстве применяется высокодобротный кварцевый резонатор, работающий на основной моде, и умножитель частоты с фазовой автоподстройкой, обеспечивающие рабочую частоту 175.00 МГц, сверхмалый джиттер и низкий уровень фазовых шумов. Компонент входит в серию тактовых генераторов PureEdge, которые обеспечивают прецизионные решения синхронизации. NBXSBA03 поставляется в корпусе SMD (CLCC), габаритные размеры 5 мм 7 мм.
30 января 2012 Быстровосстанавливающиеся высоковольтные диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiС). ЗАО " Группа Кремний ЭЛ", помимо высоковольтных транзисторов на основе карбида кремния, приступила к производству высоковольтных диодов и диодных сборок Шоттки, также на основе кристаллов карбида кремния (SiС). На данный момент доступно для заказа 8 групп приборов и еще четыре находятся в стадии разработки.
26 января 2012 Новые двухслойные WIMA SuperCap С 60 WIMA расширила свой ассортимент серией WIMA SuperCap С 60. Конденсаторы доступны с емкостью 1500 F, 2000 и 3000 F F при номинальном напряжении 2,7 В постоянного тока. Выпускаются в круглом металическом корпусе диаметром 60 мм. Для увеличения рабочего напряжения возможно последовательное включение конденсаторов.
11 января 2012 Высоковольтные транзисторы JFET и MOSFET на основе карбида кремния (SiС). ЗАО " Группа Кремний ЭЛ" анонсировала транзисторы, выполненные на кристаллах карбида кремния (SiС). Предлагаются два транзистора: высоковольтный JFET с управляющим p-n переходом (нормально открытый) с блокирующим диодом КП12(М)К085 и высоковольтный MOSFET n-канальный, так же со встроенным диодом, КМ12(М)К08.
+7 (495) 234-01-10
тех.информация
спецпредложение!
30 января 2012
26 января 2012
11 января 2012
Производители: